58-ми битовый драйвер ЖКИ с последовательным интерфейсом SIWG2M

Печать

Микросхема 58-ми битового драйвера ЖКИ с последовательным интерфейсом SIWG2M

Наше предприятие разработало схему электрическую и конструкцию микросхемы SIWG2M. Зарубежных аналогов микросхемы не существует.

Командно выбираемая конфигурация:

драйвер ЖКИ с прямым управлением (управляющих выводов - 58);

драйвер ЖКИ с мультиплексом 1/2 (управляющих выводов - 58);

драйвер ЖКИ с мультиплексом 1/3 (управляющих выводов - 58);

54 буфера с большими токами нагрузки.

Специальная схема формирования уровня напряжения смещения 1/2 для управления ЖКИ с мультиплексом 1/2 и 1/3.

Возможность каскадирования по последовательному интерфейсу и синхронизации работы в режиме ведущий-ведомый.

Встроенная схема сброса ИМС по включению напряжения питания.

Встроенный генератор для формирования управления ЖКИ.

КМОП технология, обеспечивающая:

- низкое потребление тока;

- широкий диапазон напряжения питания и температур;

- высокую помехоустойчивость.

КМОП и ТТЛ совместимые входы.

Защита от статического электричества по всем выводам.

Управление и передача данных по последовательной трехразрядной шине.

64 выводной плоский пластмассовый корпус QFP64-1420F.

Таблица 1. Назначение выводов

Номер вывода	Назначение вывода
01 - 54	Выход управления столбцами SEG1 - SEG54
55	Выход управления строкой / Выход управления столбцом SEG55/COM3
56	Выход управления строкой / Выход управления столбцом SEG56/COM2
57	Выход управления строкой / Выход управления столбцом SEG57/COM1
58	Выход сдвигового регистра / Выход управления столбцом SEG58/D0
59	Общий
60	Вход данных DI
61	Вход синхронизации CLC
62	Вход чтения данных LOAD
63	Вход/выход синхронизации FR
64	Питание

Таблица 2. Таблица норм электрических параметров при приемке и поставке

Наименование параметра измерения	Буквенное обозначение	Режим измерения	Норма		Температура, °С
Наименование параметра измерения	Буквенное обозначение	Режим измерения	не менее	не более	Температура, °С
Ток потребления, мкА (все входы открыты, работает встроенный генератор)	I_DD	U_DD = 5.5 B	-	60	25±10 -40 85
Входной ток низкого уровня по входам DI, CLC, LOAD, мкА	I_IL	U_DD = 5.5 B, U_IL= 0 B	-	-1.0
Входной ток высокого уровня по входам DI, CLC, LOAD, мкА	I_IH	U_DD = 5.5 B, U_IH= 5.5 B	-	1.0
Выходное напряжение высокого уровня выходов SEG1 – SEG54, В	U_OH1	U_DD = 2.4 B, I_OH = -10 мкА	0.8U_DD	-
Выходное напряжение низкого уровня выходов SEG1 – SEG54, В	U_OL1	U_DD = 2.4 B, I_OL = 10 мкА	-	0.2U_DD
Выходное напряжение высокого уровня выходов SEG55/COM3, SEG56/COM2, SEG57/COM1, В	U_OH2	U_DD = 2.4 B, I_OH = -100 мкА	0.8U_DD	-
Выходное напряжение низкого уровня выходов SEG55/COM3, SEG56/COM2, SEG57/COM1, В	U_OL2	U_DD = 2.4 B, I_OL = 100 мкА	-	0.2U_DD
Выходное напряжение уровня М1 выходов SEG55/COM3, SEG56/COM2, SEG57/COM1, В	U_OM	U_DD = 2.4 B, I_OH = -100 мкА	1.0	1.4
Частота встроенного генератора, Гц	fc	U_DD = 2.4 B	40	120

Таблица 3. Предельно допустимые и предельные режимы эксплуатации

Наименование параметров режима, единица измерения	Буквенное обозначение	Предельно допустимый режим		Предельный режим
Наименование параметров режима, единица измерения	Буквенное обозначение	не менее	не более	не менее	не более
Напряжение питания, В	U_DD	2.4	6.5	-0.3	8.5
Входное напряжение низкого уровня для выводов DI, CLC, LOAD, В	U_IL	0	0.2U_DD	-0.3	U_DD+0.3
Входное напряжение высокого уровня DI, CLC, LOAD, В	U_IH	0.8U_DD	U_DD	-0.3	U_DD+0.3
Частота загрузки данных по напряжения, МГц	f_I	-	1.0	-	-
Время установления сигнала DI перед сигналом CLK (фронт спада), нс	tds	150	-	-	-
Время удержания сигнала DI после сигналом CLK (фронт спада), нс	tdh	50	-	-	-
Длительность входного импульса, нс	tpw	175	-	-	-
Длительность задержки распространения сигнала при включении, выключении, нс	tpd	-	500*	-	-
Мощность рассеивания на корпусе, мВт	P_D	-	-	-	250
* Емкость нагрузки C_L = 55 пФ

Требования к устойчивости при механических воздействиях.

Механические воздействия по ГОСТ 18725, в том числе: линейное ускорение
5000 м/с2 (500 g).

Требования к устойчивости при климатических воздействиях.

Климатические воздействия по ГОСТ 18725, в том числе:
– пониженная рабочая температура среды минус 40 °С;
– повышенная рабочая температура среды 85 °С;
– пониженная предельная температура среды минус 65 °С;
– повышенная предельная температура среды +125 °С;
– изменения температуры среды от минус 65 до +125 °С.

Требования к надежности

Наработка микросхем 50000 ч, а в облегченных режимах – 60000 ч. Облегченные режимы: отсутствие воздействия предельных режимов.

Интенсивность отказов в течение наработки не более 1·10-6 1/ч.

Гамма-процентный срок сохраняемости 8 лет.

Документы

DATASHEET SIWG2M

Размер 553.00 КБ